媒体:国产存储芯片供需格局重塑 美光的“意外”出局

　　据了解，DRAM和NAND Flash代表了当前全球两类市场规模较大的存储器技术路线及产品类型，其中，DRAM提供了快速的读写速度和随机访问能力，使得系统能够高效地运行多个任务，常被用于计算机、图形处理器、服务器、数据中心等存储场景，半导体行业知名调研机构ICInsights统计数据显示，2021年全球DRAM市场规模约占整个存储市场的 56%，NAND Flash约占41%。

北京一家芯片企业的前端工程师李振告诉记者，随着5G、人工智能等领域的快速发展，消费电子、服务器、新能源汽车等终端应用对单位存储产品的经济效益要求不断提高，为满足市场需求，NAND Flash技术不断演进。过去数年间，176层、232层、236层和238层(闪存堆叠层数)等高密度NAND Flash产品先后诞生，全球NAND Flash技术正逐步进入200层时代。同时，NANDFlash的单位成本也在不断优化，此外，三星、SK海力士和美光均已成功实现了1α纳米DRAM制程的产品量产。

　　王泓表示，DRAM领域具有较高的技术及资金壁垒，市场高度集中。长鑫存储作为该领域中的国产领军企业，目前已建成12英寸晶圆厂并投产，并实现多个基于先进制程的芯片量产。NANDFlash方面，长江存储2020年就已研发出128层QLC 3D NAND闪存，性能水平已能对标三星、海力士、美光等国际头部厂商。

　　此外，包括江波龙(301308.SZ)、兆易创新(603986.SH)等存储芯片厂商也均有面向消费类、工业控制类及汽车类等市场领域颇具竞争力的存储产品。

　　“在NORFlash产品上，报告期内消费、手机、PC领域整体需求降低，在工业、汽车领域则稳步提升，工业领域销量同比2021年持平，车规产品销售金额同比2021年实现约80%的增长，车规产品累计出货量已达1亿颗。在消费市场，公司NOR Flash产品客户结构以中高端客户为主。在自有品牌DRAM产品上，工业类应用取得较好成长;消费类市场方面，已在主流消费类平台获得认证，并在TV等诸多客户端量产使用。”兆易创新在其2022年年报中表示。

　　但技术上的赶超，并不意味着国产存储厂商完全具备与全球巨头“掰手腕”的能力。

　　例如，在美光科技今年Q2的财报电话会上，其公司总裁兼首席执行官桑杰·梅罗特拉(Sanjay Mehrotra)就曾表示：“公司在DRAM领域，采用10nm级别的第四代制程1α(1-alpha)占据了我们大部分的DRAM产能，并且我们在向1β(1-beta)过渡方面取得了很大进展。在NAND领域，176层和232层现在占据了超过90%的NAND产能。我们在四比特单元(QLC)NAND方面也继续领先于行业。QLC在我们的NAND位生产和出货中占比超过20%。1αDRAM和176层NAND的良率已经达到了历史上任何节点都更高的水平。此外，我们的1βDRAM和232层NAND的良率已经提前达到了目标。”“在存储芯片领域，我们和国外龙头至少还存在3-5年左右的技术差距。”李振说。